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聯穎光電


大咖競技 打造獲利方程式


隨著5G、電動車等新應用百花齊放,對高頻、高速運算、高速充電需求大增,傳統以矽及砷化鎵為材料的第一代與第二代半導體在溫度、頻率、功率等已達極限,無法用於嚴苛環境,具備高能效、低能耗的第三代半導體成為市場當紅炸子雞,吸引鴻海、聯電等大型集團積極搶進,試圖開啟新的獲利方程式。科技市調機構集邦科技(TrendForce)推估,第三代半導體產值將從2021年的9.8億美元,至2025年將成長至47.1億美元,年複合成長率達48%。其中,碳化矽(SiC)適合高功率應用,如儲能、風電、太陽能、電動車、新能源車等對電池系統具高度要求的產業。從鴻海與聯電集團布局來看,鴻海集團本來就已經深耕半導體上中下游領域,從IC設計、晶圓製造、封裝測試與設備均非常完整。鴻海董事長劉揚偉曾公開強調,鴻海要發展的半導體,不是昂貴困難的先進製程,而是鎖定成熟製程,更何況這些成熟製程的IC,都是未來電動車要使用到的零組件,因此,鴻海的半導體大業,其實是為了電動車的發展而布局。儘管外界對鴻海集團發展半導體的技術仍有些疑慮,但鴻海半導體事業群總經理陳偉銘指出,很多事情他無法明講,因為一旦講出來,競爭對手就會模仿他們。不過,鴻海在半導體製程上,有自己的特殊製程技術、特殊的know how,進而讓鴻海的電動車半導體元件,與眾不同。聯電主要透過轉投資聯穎光電切入第三代半導體,初期鎖定6吋氮化鎵(GaN)產品,考量目前業界氮化鎵整體解決方案提供者較少,聯穎也建置技術平台,完成後會把平台開放給設計公司客戶使用,擴大接單利基。聯電近期則擴大第三代半導體布局,今年陸續自行購置蝕刻、薄膜新機台,下半年陸續進駐8吋AB廠,瞄準8吋晶圓生產第三代半導體的經濟效益優於6吋晶圓的方向,全力搶攻商機。